產(chǎn)品詳情
一、產(chǎn)品概述
半導體鍍膜冷卻工業(yè)冷水機是為半導體鍍膜工藝（如真空濺射鍍膜、化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD））研發(fā)的超高精度制冷設備，核心作用是為鍍膜機的靶材、反應腔、射頻電源、光學鏡片等關鍵部件提供 5℃-35℃的循環(huán)冷卻，控制部件溫度穩(wěn)定性（波動≤±0.1℃）、反應腔壁溫差（≤±1℃）及冷卻水流量精度（偏差≤±1%），確保鍍膜層厚度均勻性（偏差≤±1%）、電阻率一致性（偏差≤±2%）及膜基結合力（≥50MPa）。在半導體鍍膜中，溫度波動 0.5℃可能導致鍍膜層厚度偏差≥2%、缺陷密度增加 5 個 /cm2，傳統(tǒng)冷卻設備存在控溫精度低（±1℃）、振動干擾（振幅≥3μm）、潔凈度不足等問題，導致鍍膜合格率不足 90%。
二、產(chǎn)品描述
- 超高精度恒溫系統(tǒng)：實現(xiàn) 5℃-35℃寬域控溫（靜態(tài)精度 ±0.5℃）。針對半導體鍍膜設備的多區(qū)域協(xié)同冷卻需求（靶材與反應腔獨立冷卻），支持 2-4 路隔離式冷卻回路，通過 PID 神經(jīng)網(wǎng)絡算法與流量微調(diào)節(jié)技術，確保各回路溫差≤±0.1℃，反應腔壁軸向溫差≤±0.5℃。相比傳統(tǒng)設備，濺射鍍膜的厚度均勻性從 ±3% 縮至 ±1%，CVD 沉積的電阻率偏差從 ±5% 降至 ±2%，有效減少因溫度波動導致的鍍膜缺陷（如針孔、剝離發(fā)生率≤0.1%）。
- 超潔凈低干擾設計：與冷卻介質(zhì)接觸部件采用 316L 不銹鋼電解拋光（Ra≤0.02μm），密封圈選用全氟醚橡膠（FFKM），符合 FDA Class VI 生物兼容性要求，冷卻水采用超純水（電阻率≥18.2MΩ?cm）循環(huán)，溶解氧含量≤0.05mg/L（防止金屬氧化）。水路系統(tǒng)配備四級過濾（50μm 預濾 + 10μm 精濾 + 0.2μm 超濾 + 離子交換），顆粒物濃度≤1 個 /cm3（≥0.1μm），滿足 Class 10 級潔凈室要求。設備采用空氣彈簧減震基座（振幅≤0.5μm@10Hz），運行噪音≤40dB（距離 1m），電磁輻射≤20dBμV/m（1GHz 頻段），避免干擾鍍膜設備的射頻信號（噪聲水平≤-95dBm）。
- 半導體級安全架構：具備三級冗余溫控保護（主回路 ±0.1℃、備用回路 ±0.2℃、緊急停機 ±0.5℃），響應時間≤10ms。設備整體采用不銹鋼 316L 框架，表面經(jīng)電解拋光與鈍化處理，無顆粒脫落（每小時≤1 個 /ft3≥0.5μm）。防護等級達 IP65，適應半導體潔凈室（溫度 23℃±1℃，濕度 45%±5%）環(huán)境，通過 SEMI S2 安全認證，配備泄漏檢測系統(tǒng)（檢測精度≤0.1mL/min）與超純水電阻率在線監(jiān)測（實時顯示≥18MΩ?cm）。
三、應用場景
- 邏輯芯片鍍膜車間：用于 12 英寸晶圓鋁互聯(lián)層濺射鍍膜冷卻，控制靶材溫度 20℃±0.05℃，使膜厚均勻性（偏差）≤±1%，方塊電阻偏差≤±2%，滿足 7nm 制程芯片的電學性能要求。
- 存儲芯片生產(chǎn)車間：在 3D NAND 閃存氧化層 ALD 沉積中，提供 15℃±0.05℃冷卻水，確保氧化層厚度（10nm）偏差≤±0.1nm，介電常數(shù)穩(wěn)定性提升至 ±1%，適應高密度存儲的絕緣性能需求。
- 化合物半導體車間：針對 GaN 外延片濺射鍍膜冷卻，通過雙回路控溫（反應腔 18℃±0.1℃、射頻電源 25℃±0.1℃），使鍍膜層應力≤100MPa，缺陷密度≤2 個 /cm2，滿足射頻器件的高頻性能要求。
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MEMS 器件鍍膜車間：用于微傳感器金屬電極濺射冷卻，控制冷卻水溫 12℃±0.05℃，使電極線寬偏差≤±0.1μm，附著力（劃格測試）達 5B 級，適應 MEMS 器件的微型化與可靠性要求。
