產(chǎn)品詳情
快恢復二極管（簡稱FRED）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復時間超短的半導體二極管，常用來給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復二極管是用電設備高頻化（20kHZ以上）和高頻設備固態(tài)化發(fā)展不可或缺的重要器件。
構(gòu)造分類
半導體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點，把晶體二極管分類如下：
鍵型
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔金或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
臺面型
PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。
平面型
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關(guān)用的型號則很多。
20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管（單管）的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，
幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
快恢復二極管DSEI2x61-02A原裝現(xiàn)貨技術(shù)參數(shù)價格資料
價格：1
產(chǎn)品種類: 快恢復二極管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-227B-4
Vr - 反向電壓 : 200 V
If - 正向電流: 71 A
類型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向電壓: 1.08 V
最大浪涌電流: 950 A
Ir - 反向電流 : 50 uA
恢復時間: 50 ns
系列: DSEI2X61-02
封裝: Tube
商標: IXYS
高度: 12.22 mm
長度: 25.42 mm
最大工作溫度: + 150 C
最小工作溫度: - 40 C
工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
產(chǎn)品: Rectifiers
工廠包裝數(shù)量: 10
寬度: 38.20 mm
單位重量: 38 g
快恢復二極管的特點
超快恢復時間
大電流能力
高抗浪涌電流能力
低正向壓降
低反向漏電流
芯片與底板電氣絕緣
2500V交流電壓
國際標準封裝
在逆變裝置中，輸入整流器常用來向直流環(huán)電容器充電，并很好地調(diào)節(jié)DC電壓，若逆變裝置不要求把能量反饋到交流電網(wǎng)，則交流整流可以采用不可控的單相或三相整流橋。為了限制最初對直流環(huán)電容器充電時所產(chǎn)生的沖擊電流，以免損壞整流橋，一般采用下列的一種方法來實現(xiàn)：
（1）采用一個負溫度系數(shù)（NTC）電阻器與輸入整流器串接的方法。但這種方法僅對小功率逆變裝置有用。
（2）采用在輸入整流器的正直流輸出端上串接一個充電電阻的方法。為了降低電阻上的功耗和提高裝置的效率，當電容器充電到最大電壓值時，通常采用有限壽命的機械接觸器來短接充電電阻。
（3）采用半控整流橋的方法。采用慢慢增加晶閘管觸發(fā)角的方法，以實現(xiàn)軟起動的目的，因而限制了電容器充電時的沖擊電流，當電容器充滿電后，進入正常時，電橋內(nèi)的晶閘管就像整流二極管一樣工作。
工作原理
二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
關(guān)于更多快恢復二極管的相關(guān)信息請進入進入海飛樂技術(shù)有限公司官網(wǎng)查看：http://www.highfel.com/
構(gòu)造分類
半導體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點，把晶體二極管分類如下：
鍵型
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔金或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
臺面型
PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。
平面型
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關(guān)用的型號則很多。
20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管（單管）的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，
幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
快恢復二極管DSEI2x61-02A原裝現(xiàn)貨技術(shù)參數(shù)價格資料
價格：1
產(chǎn)品種類: 快恢復二極管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-227B-4
Vr - 反向電壓 : 200 V
If - 正向電流: 71 A
類型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向電壓: 1.08 V
最大浪涌電流: 950 A
Ir - 反向電流 : 50 uA
恢復時間: 50 ns
系列: DSEI2X61-02
封裝: Tube
商標: IXYS
高度: 12.22 mm
長度: 25.42 mm
最大工作溫度: + 150 C
最小工作溫度: - 40 C
工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
產(chǎn)品: Rectifiers
工廠包裝數(shù)量: 10
寬度: 38.20 mm
單位重量: 38 g
快恢復二極管的特點
超快恢復時間
大電流能力
高抗浪涌電流能力
低正向壓降
低反向漏電流
芯片與底板電氣絕緣
2500V交流電壓
國際標準封裝
在逆變裝置中，輸入整流器常用來向直流環(huán)電容器充電，并很好地調(diào)節(jié)DC電壓，若逆變裝置不要求把能量反饋到交流電網(wǎng)，則交流整流可以采用不可控的單相或三相整流橋。為了限制最初對直流環(huán)電容器充電時所產(chǎn)生的沖擊電流，以免損壞整流橋，一般采用下列的一種方法來實現(xiàn)：
（1）采用一個負溫度系數(shù)（NTC）電阻器與輸入整流器串接的方法。但這種方法僅對小功率逆變裝置有用。
（2）采用在輸入整流器的正直流輸出端上串接一個充電電阻的方法。為了降低電阻上的功耗和提高裝置的效率，當電容器充電到最大電壓值時，通常采用有限壽命的機械接觸器來短接充電電阻。
（3）采用半控整流橋的方法。采用慢慢增加晶閘管觸發(fā)角的方法，以實現(xiàn)軟起動的目的，因而限制了電容器充電時的沖擊電流，當電容器充滿電后，進入正常時，電橋內(nèi)的晶閘管就像整流二極管一樣工作。
工作原理
二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
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