Silicon Designs推出專為零到中頻測(cè)量而設(shè)計(jì)的MEMS直流響應(yīng)加速度計(jì)

　　Silicon Designs推出Model 2220 MEMS直流響應(yīng)加速度計(jì)，可提供從±2 g到±200 g的測(cè)量范圍內(nèi)的七種量程選擇（例如圖中2220-100，則代表測(cè)量范圍為±100 g）。該系列加速度計(jì)可對(duì)直流（DC）和交流（AC）加速度響應(yīng)，兩端模擬輸出分別為± 4V或0.5 —— 4.5V，并采用1 x 1 x 0.3英寸環(huán)氧樹脂密封的陽極氧化鋁外殼。工作溫度范圍在-55 —— 125°C，適用于飛行測(cè)試、飛機(jī)顫振測(cè)試、振動(dòng)監(jiān)測(cè)和分析、機(jī)器人技術(shù)、生物力學(xué)和汽車RLDA應(yīng)用。


　　據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，Silicon Designs公司專注于設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造高可靠性工業(yè)級(jí)MEMS可變電容式加速度計(jì)芯片、模組和配套數(shù)據(jù)采集，于2018年4月27日在美國華盛頓州柯克蘭發(fā)布了其緊湊、輕巧的單軸Model 2220系列加速度計(jì)，性能有明顯提升。

　　增強(qiáng)型Model 2220系列的設(shè)計(jì)結(jié)合了Silicon Designs的新款專有高性能MEMS芯片，具有高驅(qū)動(dòng)力、低阻抗緩沖等特點(diǎn)，改善后的偏差（bias）和比例因子（scale factor）隨溫度變化的性能獨(dú)占業(yè)界鰲頭。這些對(duì)于其他MEMS 可變電容式加速度計(jì)制造商來講無法滿足的規(guī)格，Silicon Designs卻以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格實(shí)現(xiàn)了。

　　Model 2220系列有七段量程可供選擇，涵蓋了從±2 g到±200 g的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量范圍，每段量程都具有低至零赫茲的寬頻率響應(yīng)。模組封裝在環(huán)氧密封的堅(jiān)固的陽極氧化鋁外殼內(nèi)，通過兩顆M3螺絲進(jìn)行組裝。其輕巧的重量（10 g）和緊湊的尺寸（1 x 1 x 0.3英寸）可以幫助減少質(zhì)量負(fù)載效應(yīng)，使其成為各種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用零到中頻加速度和振動(dòng)測(cè)量的理想選擇。Silicon Designs的 Model 2220系列可以對(duì)直流和交流加速度做出響應(yīng)，±4V（差分）或0.5 —— 4.5V（單端）兩種模擬輸出隨加速度而變化。在加速度為零時(shí)，差分電壓輸出為直流0 V（直流響應(yīng)），交叉軸靈敏度典型值為1%。板載電壓調(diào)節(jié)可最大限度地減少電源變化的影響，這些器件被設(shè)計(jì)為可在-55 —— 125 °C的標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍內(nèi)承受高達(dá)2000g的沖擊性輸入。每個(gè)模組在工廠出貨之前都已完成校準(zhǔn)，為方便追蹤也會(huì)進(jìn)行序列化。

　　Silicon Designs所有的MEMS可變電容式加速度計(jì)和芯片的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試均在位于美國華盛頓州柯克蘭市的最先進(jìn)設(shè)施中完成，包括加速度計(jì)和芯片的制造。Silicon Designs的完全垂直整合的制造過程確保其能夠以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高質(zhì)量的產(chǎn)品，同時(shí)交付周期也達(dá)到行業(yè)最快。通常情況下，標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)的產(chǎn)品可以在兩周以內(nèi)發(fā)貨。

　　Model 2220系列的重量輕、外形尺寸小和阻抗輸出低等特點(diǎn)，特別適用于飛行測(cè)試、飛機(jī)顫振測(cè)試、振動(dòng)監(jiān)測(cè)和分析、機(jī)器人技術(shù)、生物力學(xué)、汽車RLDA、機(jī)械和設(shè)備控制、模態(tài)分析、碰撞測(cè)試和實(shí)驗(yàn)室通用應(yīng)用。非標(biāo)準(zhǔn)的g量程、封裝和連接器配置可根據(jù)客戶要求定制。