“高分辨耐輻照硅探測(cè)器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目啟動(dòng)

　　近日，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“高分辨耐輻照硅探測(cè)器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目正式啟動(dòng)。

　　科學(xué)儀器設(shè)備是科學(xué)研究和技術(shù)創(chuàng)新的基石，是經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)防安全的重要保障。為切實(shí)提升我國(guó)科學(xué)儀器設(shè)備的自主創(chuàng)新能力和裝備水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)發(fā)展，支撐創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的實(shí)施，我國(guó)啟動(dòng)了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃。

　　射線探測(cè)技術(shù)作為現(xiàn)代科技關(guān)鍵核心技術(shù)，在公共安檢設(shè)備、國(guó)防建設(shè)、核能開發(fā)利用等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用空間，目前我國(guó)硅輻射探測(cè)器市場(chǎng)上的產(chǎn)品絕大部分被國(guó)外壟斷，迫切需要在關(guān)鍵領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)突破。耐高壓硅探測(cè)器作為國(guó)防特殊輻射測(cè)量設(shè)備的核心部件，可拓寬脈沖輻射測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍，對(duì)中子、伽馬射線等具有良好分辨力，在核輻射監(jiān)測(cè)、高能粒子探測(cè)、X射線衍射儀、安檢等應(yīng)用廣泛，

　　為此，四川藝精科技集團(tuán)牽頭申報(bào)，中國(guó)工程物理研究院材料研究所、中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所和江蘇尚飛光電科技股份有限公司共同參與了高分辨耐輻照硅探測(cè)器項(xiàng)目的研制，在2018年正式通過(guò)了科技部的立項(xiàng)，中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)為428萬(wàn)元，實(shí)施周期為3年。

　　高分辨耐輻照硅探測(cè)器項(xiàng)目將通過(guò)以表面鈍化和離子注入等關(guān)鍵技術(shù)突破為重點(diǎn)，獲得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能硅輻射探測(cè)關(guān)鍵技術(shù)，從基礎(chǔ)研究、工藝控制、器件研制、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化等各階段提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主要任務(wù)包括研制高壓耐輻照硅探測(cè)器、面向公共安檢應(yīng)用的高性能X射線探測(cè)器、大面積X射線硅探測(cè)器等

　　項(xiàng)目的考核指標(biāo)主要有探測(cè)面積≥5cm×5cm；位置分辨率≤100μm；漏電流密度≤2nA/cm2@耗盡電壓;探測(cè)器工作電壓≥600V；抗輻照指標(biāo)≥1×1015nep/cm2。產(chǎn)品完成時(shí)應(yīng)通過(guò)可靠性測(cè)試，平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí);技術(shù)就緒度達(dá)到9級(jí)。明確發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)和軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量；形成批量生產(chǎn)能力，明確項(xiàng)目驗(yàn)收時(shí)銷售數(shù)量和銷售額。

　　該項(xiàng)目的實(shí)施將進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力，打破國(guó)際對(duì)我國(guó)的技術(shù)封鎖，縮小與國(guó)際先進(jìn)技術(shù)的差距，帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以自主科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)我國(guó)自己掌控相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和國(guó)家安全的命脈。下一步，團(tuán)隊(duì)將重點(diǎn)研究硅表面鈍化工藝，通過(guò)控制硅表面氧化膜的厚度和質(zhì)量來(lái)提高器件工作性能及輻照性能。