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SWFPS-1V2消防電源監(jiān)控模塊 龍游清水縣配電網(wǎng)建設
這有利于抑制寄生導通，因此，在半橋電路中運行時，可以避免使用復雜的柵極驅動電路 即使使用0V的關斷電壓，許多CoolSiC#8482 MOSFET可以安全地關斷 這是因為除了優(yōu)化的電容比例（CrssCiss）之外，CoolSiC#8482
MOSFET的閾值電壓也足夠高 圖4中的左圖總結了元件電容與VDS的關系 圖4的右邊顯示了4腳TO-247封裝中的單器件半橋的典型開關損耗與漏極電流的關系 關斷能量Eoff只略微依賴負載電流，因為它是由電容主導的 相比之下，開通能量Eon隨電流線性增加，并主導著總損耗Etot
根據(jù)2019年年中的狀況，我們應該強調，CoolSiC#8482 MOSFET在市售的1200V SiC MOSFET中顯示了#低的Eon Eon和Eoff幾乎與溫度無關 需要注意的是，實際的封裝設計對開關損耗有很大的影響，主要是對導通損耗
開爾文引腳（TO247 4pin）在電流方面將功率回路與控制回路分開，因此有助于防止didt對柵極電壓的反饋，從而降低動態(tài)損耗 圖4：45mΩ CoolSiC#8482 MOSFET的典型器件電容與漏極-源極電壓的關系(左)，開關損耗與漏極電流的關系（右）(在VGS15-5V，RG_ext4.5Ω，VDS800V，Tvj
