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BLR-F-400/3DF 630A隔離開(kāi)關(guān) 陽(yáng)原小學(xué)備品我們的CoolSiC#8482 MOSFET是#個(gè)在數(shù)據(jù)表中保證短路耐受時(shí)間的器件 為滿足目標(biāo)電源應(yīng)用的要求,CoolSiC#8482 MOSFET技術(shù)在雪崩情況下顯示出高度的魯棒性 圖6右邊描述了一個(gè)1200V元件的典型雪崩行為

(新發(fā)布的650V器件CoolSiC#8482 在數(shù)據(jù)表中標(biāo)注了雪崩等級(jí)) 圖6:在25°C下,典型的短路是持續(xù)時(shí)間的函數(shù)(左),以及1200V器件的雪崩行為,在60V下關(guān)閉3.85mH的無(wú)鉗位電感負(fù)載(右)


“隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備越來(lái)越多地用于工業(yè)設(shè)備、家居自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用中,通過(guò)減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗,或者加快充電時(shí)間(對(duì)于便攜式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)來(lái)優(yōu)化這些設(shè)備的電源管理的壓力也越來(lái)越大


” 隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備越來(lái)越多地用于工業(yè)設(shè)備、家居自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用中,通過(guò)減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗,或者加快充電時(shí)間(對(duì)于便攜式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)來(lái)優(yōu)化這些設(shè)備的電源管理的壓力也越來(lái)越大

BLR-F-400/3DF 630A隔離開(kāi)關(guān) 陽(yáng)原小學(xué)備品所有這些都以小尺寸實(shí)現(xiàn),既不能影響散熱,也不能干擾這些設(shè)備實(shí)現(xiàn)無(wú)線通信 所有這些都以小尺寸實(shí)現(xiàn),既不能影響散熱,也不能干擾這些設(shè)備實(shí)現(xiàn)無(wú)線通信 物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域存在多種表現(xiàn)形式,它通常是指一種智能聯(lián)網(wǎng)電子設(shè)備,可能由電池供電,并將預(yù)先計(jì)算的數(shù)據(jù)發(fā)送給基于云的基礎(chǔ)設(shè)施


